نقشه ی سایت
دوشنبه  28  مرداد  1398

LPCVD

توضيحات:  با استفاده ازاين دستگاه قادر به لایه نشانی پلی سيلیکن ( Si )   و اکسيد سيليکن ( SiO2 ) و نيتريد سيليکن ( Si3N4 ) ميباشيم.

معرفی دستگاه: اين دستگاه شامل دو لوله کوارتز برای ويفر تا قطر حداکثر 4 اينچ بصورت مستقل طراحی شده است. دمای هر ناحيه حداکثر تا دمای800 درجه سلسيوس قابل تغيير ميباشد. دستگاه مجهز به MFC هاي کنترل کننده فلوي گازهاي فرآيند از قبيل : N2O، اکسيژن، آمونياک، سيلان، نيتروژن،آرگون و هيدروژن ميباشد. درون لوله ها و محفظه توسط پمپهای خلاء تخليه ميشوند. ناحيه دمائی درون لوله ها توسط کنترلربا دقت 1 درجه قابل کنترل است.

 

دستگاه LPCVD

 

قیمت به ریال

مقیاس تعرفه

شرح خدمات قابل ارایه

1.000.000

 

هرساعت

رشد لايه های Si-SiO2-Si3N4

 

تعداد بازدید کل : 12413815
تعداد بازدید امروز: 4077
بازدید دیروز : 5511
تعداد افراد آنلاین: 23